除开关速度更快外，碳化硅器件的工作温度可达到 300℃以上。而现有适用于硅器件的传统封装材料及结构一般工作在 150℃以下，在更高温度时可靠性急剧下降，甚至无法正常运行。解决这一问题的关键在于找出适宜高温工作的连接材料，匹配封装中不同材料的热性能。
采用新型高温封装的SiC Mosfet可在175℃以上稳定工作

<p><span style=";font-family:楷体">除开关速度更快外，碳化硅器件的工作温度可达到 300℃以上。而现有适用于硅器件的传统封装材料及结构一般工作在 150℃以下，在更高温度时可靠性急剧下降，甚至无法正常运行。解决这一问题的关键在于找出适宜高温工作的连接材料，匹配封装中不同材料的热性能。</span></p><p><span style="font-size:14px;font-family:楷体">采用新型高温封装的<span>SiC Mosfet</span>可在<span>175</span>℃以上稳定工作</span></p><p><br/></p>