目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用传统 Si器件的封装方式。该方式首先通过焊锡将芯片背部焊接在基板上，再通过金属键合线引出正面电极，最后进行塑封或者灌胶。传统封装技术成熟，成本低，而且可兼容和替代原有 Si 基器件。但是，传统封装结构导致其杂散电感参数较大，在碳化硅器件快速开关过程中造成严重电压过冲，也导致损耗增加及电磁干扰等问题。而杂散电感的大小与开关换流回路的面积相关。其中，金属键合连接方式、元件引脚和多个芯片的平面布局是造成传统封装换流回路面积较大的关键影响因素。
减小SiC Mosfet杂散电感值，将其大小控制在 5nH以下

<p><span style=";font-family:楷体">目前已有的大部分商用 <span>SiC </span>器件仍采用传统 <span>Si</span>器件的封装方式。该方式首先通过焊锡将芯片背部焊接在基板上，再通过金属键合线引出正面电极，最后进行塑封或者灌胶。传统封装技术成熟，成本低，而且可兼容和替代原有 <span>Si </span>基器件。但是，传统封装结构导致其杂散电感参数较大，在碳化硅器件快速开关过程中造成严重电压过冲，也导致损耗增加及电磁干扰等问题。而杂散电感的大小与开关换流回路的面积相关。其中，金属键合连接方式、元件引脚和多个芯片的平面布局是造成传统封装换流回路面积较大的关键影响因素。</span></p><p><span style="font-size:14px;font-family:楷体">减小</span><span style="font-size:14px;font-family:楷体">SiC Mosfet</span><span style="font-size:14px;font-family:楷体">杂散电感值，将其大小控制在 5nH以下</span></p><p><br/></p>