本发明涉及太阳电池,特指利用单晶硅、纳米硅和氧化铝形成异质结径向结构纳米线太阳电池,其电池结构是n型单晶硅/p型纳米硅/氧化铝或n型单晶硅/i型纳米硅/p型纳米硅/氧化铝的电池结构。本发明利用湿法腐蚀工艺在n型单晶硅衬底上制备单晶硅(c-Si)纳米线,采用PECVD方法在单晶纳米线上制备氢化的i型和p型纳米硅(nc-Si : H)薄膜,形成由内至外的c-Si(n)/nc-Si : H(p)或c-Si(n)/nc-Si : H(i)/nc-Si : H(p)径向结构,随后利用ALD技术制备Al2O3层,利用ALD技术制备制备掺铝氧化锌层;最后在n型单晶硅背面真空蒸镀铝电极,并进行快速退火;完成硅基纳米线太阳电池的制备。本发明可以制备高效硅基纳米线太阳电池,而且可以利用低品质的单晶硅材料,从而可以降低电池成本。
需求类型 | 专利 | 发布方 | 单位 | 需求标签 | |
交易方式 | 技术转让 | 所在地区 | 信息有效期至 | 2020-12-30 | |
拟投资金额 | 资金用途 | ||||
高新技术领域分类 | 新能源与节能 |
面议
面议
¥ 16,000,000 元
¥ 1,500,000 元