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纳米硅/单晶硅异质结径向纳米线太阳电池及制备方法
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需求方信息

孙慧娟
电话 138xxxx2708

本发明涉及太阳电池,特指利用单晶硅、纳米硅和氧化铝形成异质结径向结构纳米线太阳电池,其电池结构是n型单晶硅/p型纳米硅/氧化铝或n型单晶硅/i型纳米硅/p型纳米硅/氧化铝的电池结构。本发明利用湿法腐蚀工艺在n型单晶硅衬底上制备单晶硅(c-Si)纳米线,采用PECVD方法在单晶纳米线上制备氢化的i型和p型纳米硅(nc-Si : H)薄膜,形成由内至外的c-Si(n)/nc-Si : H(p)或c-Si(n)/nc-Si : H(i)/nc-Si : H(p)径向结构,随后利用ALD技术制备Al2O3层,利用ALD技术制备制备掺铝氧化锌层;最后在n型单晶硅背面真空蒸镀铝电极,并进行快速退火;完成硅基纳米线太阳电池的制备。本发明可以制备高效硅基纳米线太阳电池,而且可以利用低品质的单晶硅材料,从而可以降低电池成本。


本发明涉及太阳电池,特指利用单晶硅、纳米硅和氧化铝形成异质结径向结构纳米线太阳电池,其电池结构是n型单晶硅/p型纳米硅/氧化铝或n型单晶硅/i型纳米硅/p型纳米硅/氧化铝的电池结构。本发明利用湿法腐蚀工艺在n型单晶硅衬底上制备单晶硅(c-Si)纳米线,采用PECVD方法在单晶纳米线上制备氢化的i型和p型纳米硅(nc-Si : H)薄膜,形成由内至外的c-Si(n)/nc-Si : H(p)或c-Si(n)/nc-Si : H(i)/nc-Si : H(p)径向结构,随后利用ALD技术制备Al2O3层,利用ALD技术制备制备掺铝氧化锌层;最后在n型单晶硅背面真空蒸镀铝电极,并进行快速退火;完成硅基纳米线太阳电池的制备。本发明可以制备高效硅基纳米线太阳电池,而且可以利用低品质的单晶硅材料,从而可以降低电池成本。
需求类型 专利 发布方 单位 需求标签
交易方式 技术转让 所在地区
信息有效期至 2020-12-30
拟投资金额 资金用途
高新技术领域分类 新能源与节能